深圳商报·读创客户端 记者陈燕青

作为一家成立不到三年的碳化硅芯片设计公司，至信微电子至今已完成四轮融资，获得了包括深重投集团、深圳高新投、深智城等国资在内的投资机构青睐，可见其在碳化硅领域的技术实力获得高度认可。至信微副总经理王仁震近日在接受记者采访时表示，公司对第三代半导体碳化硅行业前景看好，未来将加大技术研发，为深圳第三代半导体行业发展做出更大贡献。

团队行业背景深厚

据悉，至信微电子成立于2021年11月，总部位于深圳，是一家专注于碳化硅功率器件研发、生产、销售的企业，具有自主知识产权的器件设计和工艺研发的能力，主打SiC MOSFET（碳化硅晶体管）及模组等系列产品。公司在华南、华东及中国台湾省均设有分公司及办事处。

记者在采访时了解到，至信微之所以发展迅速，是因为公司的团队由来自华润微、台积电、意法半导体等半导体企业的资深人士组成，具有深厚的技术能力。

至信微创始人张爱忠是国内著名的功率半导体专家，所带领的团队是国内最早开始研究SiC设计与工艺技术的团队，拥有业界领先的芯片设计技术及完善的工艺技术。此外，公司团队众多成员皆有过在美国硅谷、日本，新加坡、中国台湾等地的工作经验，是一家技术型、国际化的第三代半导体企业。

“虽然至信微成立时间不长，但在成立前几年已经开始研发碳化硅产品，正是有了前期的铺垫，正式成立公司后就发展很快，”至信微副总经理王仁震表示，“公司是一个技术导向型的团队，拥有强大的产业资源和行业背景，做事风格稳健、扎实。”

研发成果方面，至信微电子自主研发并与SiC MOSFET晶圆厂合作开发了高可靠性的SiC产品。至信微在器件设计端充分考虑了在晶圆制造工艺端和封测端将遇到的影响产品良率的因素。据公司透露，至信微的碳化硅MOSFET流片均一次性成功，量产良率业内领先，受到了上游合作伙伴及下游客户的广泛好评。

王仁震坦言，目前公司设计的碳化硅产品已在新能源汽车、光伏、工业等领域获得客户的认可，今年将会在市场拓展方面加大力度，引入更多的合作客户，使得公司营收能快速增长。

时代伯乐投资人认为，碳化硅器件是帮助产业向更高级别、更高效率发展的重要半导体，发展前景广阔，有望出现“弯道超车”，目前至信微在产品良率、产品参数和工艺水平上都占有优势，时代伯乐长期看好公司的发展潜力。

已完成四轮融资

成立至今不到三年，至信微已完成了四轮融资。作为一家初创企业，其发展潜力备受资本关注。

2022年5月，至信微宣布完成数千万天使轮融资，本轮融资由金鼎资本、太和资本、时代伯乐、红碳科技共同投资。

2023年2月，至信微宣布完成数千万元天使+轮融资，由深圳高新投领投，前海扬子江基金、思脉产融以及老股东金鼎资本、太和资本等参投。

2023年12月，至信微完成了数千万元A轮融资，本轮融资以国资和产业方为主，深智城产投、正景资本以及老股东前海扬子江基金、太和基金共同投资。

今年1月底，至信微电子宣布完成A+轮融资，本轮由深圳重大产业投资集团领投，以及老股东深圳高新投继续追加投资，这也是公司成立以来的第四轮融资。

深重投集团是深圳市属国有独资功能类企业，也是市政府重大引领性产业投资功能性平台。深重投集团聚焦深圳“20+8”产业集群发展和关键核心技术“卡脖子”攻关，已成功导入和投资国家第三代半导体技术创新中心、重投天科、中芯深圳、方正微电子、华润微等多个重大引领性集成电路产业项目。

在深圳，国资被认为是推动企业创新的重要力量。深圳国资既起到了“长期资本”和“耐心资本”的作用，在投资企业的过程中，也协调国有资源来支持企业的发展。深圳国资还注重为成长期的创新企业提供金融支持、展览营销、人才顾问等支持。

“至信微希望引入的投资者不是纯粹的财务投资者，而是具备一定的产业资源，这样对公司和股东均有利，”王仁震坦言，“尤其是国资股东入股，对于公司未来在上下游产业链的拓展能起到一定的帮助。深圳是中国的工业制造尤其是先进制造重要的发展引擎，提升关键核心功率器件的‘含深率’，就能加速推动提升全行业的‘国芯率’。至信微是一个负责任的团队，在引入投资者的节奏是稳步推进，不急于求成，不盲目追求高估值和快速扩张。未来至信微还会继续引入投资者，希望能为公司的发展进一步赋能。”

看好碳化硅前景

当前，以碳化硅为代表的第三代半导体成为后摩尔时代半导体行业发展的重点方向之一。

碳化硅材料具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。

根据Yole预测，2022年碳化硅功率器件市场规模为18亿美元，2028年有望达到89亿美元，年均复合增长率超30%。碳化硅功率器件可应用于汽车、能源、交通、工业等多个领域，其中汽车占据主导地位，市场规模占比超过七成。

目前，第三代半导体的市场渗透率并不理想。业内认为，第三代半导体目前渗透率低的原因，在于制作工艺复杂导致的成本高企，目前碳化硅成本相当于硅基器件的3倍，依旧昂贵。

“与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频、高效和高功率密度的特性，特别适用于高电压高功率等器件，”王仁震表示，“未来几年碳化硅半导体行业将迎来快速发展，其在新能源车、光伏风电、工业电源等领域有广阔的应用前景。不过，成本是目前第三代半导体行业的最大短板，未来几年需要行业的各家公司加大技术研发，进一步提高良率，降低成本，这样才能使得碳化硅产品的渗透率大幅提升。”

深圳也在加速发展第三代半导体。据悉，深圳目前已汇集了至信微、天岳先进、基本半导体、青铜剑、重投天科、纳微半导体、英诺赛科、Transphorm、GaN Systems等海内外第三代半导体SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）领域的领先企业。

王仁震表示，第三代半导体是中国企业距离世界巨头最近的半导体细分行业之一。公司部分产品经过多次迭代，整体测试性能可跻身国际先进水平。近年深圳积极布局第三代半导体产业链，未来公司将加大核心关键技术的研发，为深圳半导体产业的发展做出更大贡献。